主讲人：李涛涛 副教授（南京大学）
题目：二维半导体外延生长与器件应用
时间：2023年10月20日（星期五）上午9：30
地点：格致楼3016会议室
邀请人：兰伟
报告摘要：
集成电路的发展正面临性能、功耗等瓶颈问题，寻求比硅更快、耗能更低的沟道材料是学术界和产业界关注的焦点。以二硫化钼（MoS2）为代表的二维半导体材料具有原子尺度的极限厚度、高迁移率和可后端异质集成等特点，为解决后摩尔时代集成电路提供了新的解决方案。大面积、高质量的二维半导体可控外延制备，是实现未来集成应用的基础。围绕上述问题，报告人开展了系列工作：（1）设计了产业兼容的蓝宝石外延衬底，提出表面台阶诱导形核机制，在国际上首次实现2英寸MoS2单晶外延制备，被评为“走向产业应用的关键一步”。（2）提出了衬底台阶高度调控的二维材料层数控制方案，实现了厘米级均匀双层二硫化钼连续薄膜外延制备，解决了大尺寸、高质量双层MoS2薄膜均匀生长的国际难题，被评为“单晶生长终极目标的代表性重大突破”。（3）针对TMDC气相外延生长工艺中固态源的气相输运问题，设计了氯化物气相外延（HVPE）生长工艺，解决了难熔固态源的可控气相供给难题，实现了二硒化钼单晶薄膜的外延制备，为其他TMDC材料大面积生长提供了普适性外延工艺。
个人简介：
李涛涛，南京大学集成电路学院副教授，博士生导师，国家优秀青年基金获得者。2009、2012年本硕毕业于武汉科技大学，2012-2016年先后在中国科学院西安光学精密机械研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所从事科研工作，2016-2017在新加坡南洋理工大学做访问学者，2017-2021年在南京大学攻读博士学位。主要研究方向聚焦晶圆级二维半导体单晶外延生长及器件应用。在 Nature, Nature Nanotechnol., Chem. Soc. Rev., Small, Nation. Sci. Open等期刊发论文文40余篇，他引超过 1700 次，多篇入选 ESI热点论文（前0.1%）；获中国、美国、日本专利授权10余项；获江苏省优秀博士学位论文、小米青年学者-科技创新奖、京博科技奖-京博优秀博士论文、江苏省双创博士、2022年度中国半导体十大研究进展等奖项。主持国家自然科学基金青年基金、江苏省自然科学基金青年基金各1项，参与科技部国家重点研发计划项目2项。应邀为Nature communications, ACS Nano, Nano Lett., npj 2D Mater. Appl., Mater. Today Electron., Nanoscale 等学术期刊审稿。
